PO 基膜在晶圆切割胶带中通常与 UV 减粘胶层（UV-reducible adhesive）配合使用，构成"PO 基膜 + UV 减粘胶 + 离型膜"三层结构。其核心工作流程如下：
贴覆阶段：去掉离型膜，将 UV 减粘胶面贴合至晶圆背面，初始剥离强度通常在 800–1500 gf/25mm，提供足够锚定力
切割阶段：金刚石刀片沿划片道切割晶圆，PO 基膜的高拉伸强度防止胶带在刀片冲击下撕裂或过度拉伸
UV 照射阶段：通过 PO 基膜照射 365 nm 紫外光，胶层中光引发剂触发自由基聚合，交联密度急剧上升，胶层收缩变硬，剥离强度降至 0.1 gf/25mm 以下
Pick-up 阶段：顶针从 PO 基膜侧顶起芯片，吸嘴拾取分离——因胶层已失粘，芯片可实现零残留剥离
PO 基膜在此过程中的关键贡献在于：其高于 90%的 UV 透过率保证了光固化效率；其优异的柔性使得顶针 Pick-up 过程不损伤芯片；其化学惰性确保不与胶层及切削液发生不良反应。
