艾米新材亮相2026（第6届）辐射固化胶粘剂及减粘胶技术创新论坛

2026年3月23日，艾米新材（东莞）有限公司参加了在上海举办的第6届辐射固化胶粘剂及减粘胶技术创新论坛。此次论坛由粘接资讯、新材料产业联盟等机构主办，旨在聚焦辐射固化胶及减粘技术的最新研究与应用，汇聚了业内知名企业、高校和科研院所的力量。在本次论坛中，艾米新材不仅与上下游行业伙伴进行了深入的技术交..

艾米新材亮相艾邦智造第十届手机产业创新技术论坛

2025年12月19日，艾邦智造主办的第十届手机产业创新技术论坛在深圳成功举办。艾米新材项目负责人王先生从基材膜的角度，带来“EPPE（PO）基膜——从基材端如何保证OMR的高良率”的专题演讲，分享了艾米新材关于OMR真空转印EPPE（PO）基膜的研发历程、研究成果、应用案例及艾米新材的基膜解决方案..

什么是切割道？

晶圆预留空白区域的实际作用切割道，英文叫ScribeLine，也叫DicingStreet、切割通道或划片槽。它是晶圆上相邻芯片之间预留的狭窄间隙区域，本质上是“没有有效电路的牺牲带”。切割道在半导体制造中承担着三个不可替代的角色：一，切割导航线。切割道为刀片或激光提供了明确的行走路径。划片机的视觉..

抗静电切割胶带PO基膜，主要适用在哪些领域

抗静电切割胶带PO基膜，核心应用集中在对静电敏感的精密加工领域，覆盖多个细分行业。一是半导体晶圆切割，用于芯片划片工序，减少静电放电对芯片电路的损伤风险；二是LED、Mini/MicroLED灯珠切割，降低静电吸附微尘的概率，减少对灯珠发光面的污染；三是PCB、柔性基板、陶瓷基板切割，防止静电损伤精..

切割工艺为什么需要抗静电胶带PO基膜？

在精密电子、半导体切割工序中，静电是影响产品良率的常见因素之一。切割过程中，胶带与工件摩擦、剥离，以及设备高速运转，都容易产生静电积累。普通基膜表面绝缘，静电无法及时泄放，一方面会吸附空气中的微粉尘，污染工件表面；另一方面静电放电可能造成精密芯片、微型灯珠、精细线路的隐性损伤，影响产品性能与可靠性。..

背面研磨胶带PO基膜，适用哪些加工场景

以PO基膜制成的背面研磨保护胶带，核心应用集中在半导体晶圆减薄工序，为芯片正面线路提供临时保护。常见应用场景包含硅晶圆背面研磨减薄、化合物半导体晶片减薄加工，也可用于芯片临时固定保护。研磨工序完成之后，一般采用UV照射方式降低胶层粘性，再剥离胶带，完成整套减薄流程。除半导体晶片加工领域外，部分精密薄..

背磨工艺痛点，PO基膜可以改善哪些问题？

晶圆背面研磨加工，时常会遇到晶圆翘曲、裂片、撕除胶带产生残胶等各类工艺难题，材料选型是改善这类问题的方向之一。PO基膜柔韧性表现良好，晶圆减薄之后，基材可以缓冲研磨带来的应力，在一定程度上缓解晶圆翘曲现象。基材本身化学稳定性较好，在搭配适配胶层的前提下，胶带剥离阶段能够降低残胶出现的可能性。同时质地..

背面研磨胶带PO基膜的核心作用是什么？

很多人只知道背磨胶带，却不了解PO基膜的价值。晶圆背面研磨，目的是把厚晶圆减薄到目标厚度。加工时，胶带贴在晶圆正面，防止研磨冲击损伤芯片线路。PO基膜作为胶带底材，主要实现这几点：1.提供力学支撑，承载胶层，方便贴附、撕离；2.具备一定缓冲能力，分散研磨带来的机械应力；3.合适的延展性，降低晶圆翘曲..

TTV 决定晶圆减薄精度的上限

晶圆背面研磨的核心指标就是TTV（总厚度偏差），TTV越小，晶圆平整度越高，后续封装良率越好。很多产线TTV偏高、厚度不均，根源不在研磨设备，而在基膜平整度不达标。艾米新材的背面研磨胶带PO基膜厚度均匀、表面极致平整，无拉伸波纹、无局部厚薄偏差，贴合晶圆后零鼓包、零松弛、零形变。研磨全过程中，基材始..