艾米新材亮相2026（第6届）辐射固化胶粘剂及减粘胶技术创新论坛

2026年3月23日，艾米新材（东莞）有限公司参加了在上海举办的第6届辐射固化胶粘剂及减粘胶技术创新论坛。此次论坛由粘接资讯、新材料产业联盟等机构主办，旨在聚焦辐射固化胶及减粘技术的最新研究与应用，汇聚了业内知名企业、高校和科研院所的力量。在本次论坛中，艾米新材不仅与上下游行业伙伴进行了深入的技术交..

艾米新材亮相艾邦智造第十届手机产业创新技术论坛

2025年12月19日，艾邦智造主办的第十届手机产业创新技术论坛在深圳成功举办。艾米新材项目负责人王先生从基材膜的角度，带来“EPPE（PO）基膜——从基材端如何保证OMR的高良率”的专题演讲，分享了艾米新材关于OMR真空转印EPPE（PO）基膜的研发历程、研究成果、应用案例及艾米新材的基膜解决方案..

PO基膜与减粘剥离技术的协同

背面研磨完成后，胶带需要从已变得极薄的晶圆表面剥离，而这一环节正是碎晶风险最高的时刻——厚度仅50微米左右的晶圆几乎失去了自身的刚性支撑，任何过大的剥离应力都可能导致其弯曲破裂。因此，BG胶带普遍采用"减粘剥离"策略，而PO基膜在这一过程中扮演着协同角色。主流方案是UV减粘型：胶带采用UV敏感胶层，..

PO基膜的耐水耐湿与防渗透性能

背面研磨是典型的"湿式工艺"——研磨全程需要持续喷淋去离子水，既用于冷却砂轮和晶圆、带走磨削热量，也用于冲刷硅屑保持磨削面清洁。这意味着BG胶带在研磨的数分钟内始终处于水的浸泡和冲刷之中，其耐水耐湿性能直接关系到保护效果。PO基膜在这一方面的表现尤为出色：聚烯烃分子链上不含亲水基团，水分子难以渗透进..

PO基膜厚度公差与TTV的精准控制

晶圆减薄工艺对最终厚度的控制要求极高——研磨后的晶圆总厚度偏差（TTV）直接影响后续光刻、键合和封装良率，行业先进水平已要求TTV控制在2微米以内。而BG胶带作为研磨过程中紧贴晶圆的"垫层"，其自身厚度均匀性会部分复制到研磨结果中：如果胶带某一区域的厚度比另一区域厚，砂轮在相同下压量下切掉的硅就会偏..

PO基膜的关键力学性能

PO基膜之所以能成为背面研磨胶带的理想基材，其核心力学性能组合是关键。第一个指标是弹性模量（Modulus）——PO基膜属于低模量材料（通常远低于PET等工程薄膜），这一特性使其能够在研磨时发生适度弹性形变，将集中的磨削压力分散到整个晶圆表面，避免应力尖峰击穿硅片；但模量也不能过低，否则胶带在研磨中..

BG胶带的多层结构与PO基膜的角色定位

高品质的背面研磨胶带通常不是单一材料，而是一个多层复合的精密系统。以行业主流产品为例，BG胶带一般由四层构成：最外层是基膜（BaseFilm），中间层是功能树脂层（IntermediateResin），紧贴晶圆的是胶粘剂层（Adhesive），最下方是离型膜（ReleaseFilm）。PO基膜在这一..

背面研磨工艺对PO基膜的核心挑战

要理解PO基膜在背面研磨胶带中的价值，首先必须了解背面研磨工艺本身的严酷性。晶圆在完成前端数百道制程后，厚度通常在500至700微米之间，需要通过研磨减薄至300微米甚至50微米以下，以满足封装轻薄化和散热的双重要求。研磨过程中，金刚石砂轮以20000至50000转/分钟的转速强力磨削晶圆背面，产生..

什么是背面研磨胶带PO基膜？

背面研磨胶带（BackGrindingTape，简称BG胶带）是半导体后道工序中用于晶圆背面减薄（BackGrinding）保护的关键耗材。它贴附在晶圆的正面（电路面），在金刚石砂轮高速磨削晶圆背面的全过程中，守护微米乃至纳米级的精密电路结构不被机械应力、研磨碎屑和冷却液损伤。PO基膜（聚烯烃基膜）..