晶圆减薄（Wafer Thinning）是半导体后道封装的关键工序之一。初始晶圆的厚度通常在500 至 700 微米，这样厚的基材是为了保证在前端数百道制程中晶圆具有足够的机械强度而不发生翘曲或碎裂。然而，对最终封装而言，过厚的芯片会带来诸多问题：一是增加封装高度，无法满足现代消费电子产品对超薄封装的需求；二是硅材料本身热导率有限，芯片越厚散热路径越长，热阻越大，严重影响高功率芯片的散热效率；三是厚芯片的电性能并非最优，减薄有助于优化芯片的电气特性。
此外，在 3D 封装和堆叠封装技术中，超薄晶圆更是实现多层芯片堆叠的前提条件。因此，晶圆减薄是从前端制造到后端封装的桥梁工序，研磨胶带作为这道工序中不可或缺的耗材，其质量直接影响芯片良率和封装可靠性。
