晶圆切割（Wafer Dicing），又称划片，是半导体后道封装的第一步。其核心目标是将已经完成前端制程和背面减薄的晶圆，沿着预先设计的切割道（Scribe Line）分割成一个个独立的裸芯片。现代晶圆切割方式多种多样：最为传统和普及的是刀片切割（Blade Dicing），利用高速旋转的金刚石刀片沿切割道进行机械切割，适用于 100 微米以上厚度的晶圆；对于100 微米以下的超薄晶圆，激光切割（Laser Dicing）和激光隐形切割（Stealth Dicing）正在快速普及，后者先用激光在晶圆内部形成改性层，再通过拉伸胶带使芯片沿改性层自然分离，具有无硅碎屑、切口极窄的优点；此外，等离子切割（Plasma Dicing）作为新兴技术，利用等离子蚀刻一次性完成整片晶圆的切割，对晶圆表面损伤极小。
无论采用哪种切割方式，切割胶带都是贯穿始终的关键辅材。
