芯片封装切割胶带（PKG Saw Tape）应用于封装体分离/切单（Singulation）工序，PO基膜在这一领域的应用正在快速增长。当 QFN、BGA、SOP 等封装体在塑封成型后仍以条带或面板形式连在一起时，需要通过金刚石砂轮刀片或激光进行切割分离。与晶圆级的切割不同，封装级切割面对的不仅是硅材料，还包括塑封料（EMC，环氧模塑料）、引线框架铜材和基板材料（如 BT 树脂）等多元异质材料体系。
这使 PKG Saw Tape 对 PO 基膜提出了独特要求：第一是高刀损耐受——封装切割的刀片切入深度通常比晶圆切割更深（可达 50 至 80μm），PO 基膜表面会被切出更深的切口，因此要求膜具有更好的"支撑残留厚度"保持能力。第二是耐铜屑穿刺——铜材料切割过程中产生的细长铜毛刺可能刺入 PO 基膜表面，如果膜的抗穿刺强度不足，铜毛刺可能穿破胶带造成框架变形。第三是与激光切割的适配——随着全激光切割和激光辅助锯切在 PKG 分离中的快速普及，PO 基膜需要对红外或紫外激光具有良好的透过率，且在激光热影响下不产生有毒裂解气体（这也是 PO 替代 PVC 的关键驱动力之一）。
此外，半导体分立器件（如 LED 灯珠）和滤光片等小尺寸元件的切割同样广泛使用 PO基膜胶带，这些场景对膜的洁净度和扩张精度提出了更高要求。
