晶圆研磨胶带（Back Grinding Tape，简称 BG 胶带）是 PO 基膜在半导体领域最早也是最重要的应用之一。在晶圆背面减薄工艺中，金刚石砂轮以极高的转速对晶圆背面进行强力磨削，晶圆正面贴附的 BG 胶带此时承受着巨大的机械冲击和摩擦力。PO 基膜作为 BG 胶带的基材层，在这一工况下承担着三个核心任务。第一是应力缓冲——PO 基膜的高柔韧性使其能够有效吸收和分散研磨过程中产生的振动和冲击能量，防止应力集中传导到晶圆造成微裂纹。
第二是厚度补偿——晶圆表面的电路图案存在几十微米的"高低起伏"（Topography），PO 基膜需要具有一定的形变适应能力，在贴膜时通过自身材料的柔性流动来填充这些微观起伏，避免产生气泡和贴合不完全。第三是耐温保障——研磨过程中因摩擦产生的热量可使胶带表面温度升至 60 至 80℃，PO 基膜必须在这一温度范围内保持尺寸稳定，不发生热收缩或翘曲。BG 胶带用 PO 基膜的典型厚度为 80 至 120μm，膜厚公差需控制在±1μm 以内以确保研磨后晶圆的总厚度偏差（TTV）符合规格。此外，PO 基膜还需经过特殊的电晕处理以提高与 UV 胶层的粘接强度，确保在高压水淋的研磨环境下胶层不会与基膜分离。
