晶圆切割胶带（Dicing Tape，又称划片膜）是 PO 基膜用量最大的半导体胶带品类。在晶圆经过背面减薄后，切割胶带被贴附在晶圆背面，将其固定于金属框架（Wafer Ring）上，随后高速旋转的金刚石刀片沿切割道将整片晶圆分割为单个芯片。PO 基膜在这一场景下需要面对四大严苛要求。要求一：低掉屑性——刀片切割时刃尖会切入 PO 基膜表面十几至几十微米深度，如果基膜材料脆性大或含有无机填充颗粒，切割时将产生大量的碎屑污染芯片。
高品质半导体 PO 基膜通过精确调控共聚物的分子量分布和避免添加无机填料，实现了切割路径上的"韧性断裂"而非"脆性飞散"，大幅降低掉屑。要求二：超高扩张性——切割后需要通过机械扩张装置将芯片间距从几十微米均匀拉大至数百微米，PO 基膜需要提供 MD（纵向）和 TD（横向）方向均达 300%以上且比率接近 1:1 的等方性延展。要求三：UV 透过性——对 365nm 紫外光透光率需达 80%以上，确保后续 UV 减粘工序顺利进行。
要求四：抗静电性——取晶过程中的摩擦分离会积累大量静电，PO 基膜需通过表面涂层或本体改性将表面电阻降至 10⁶至 10⁹Ω/sq 以防止 ESD 损伤。这四项要求综合起来，使晶圆切割级 PO 基膜成为半导体材料领域技术壁垒最高的薄膜产品之一。
