PO 基膜之所以能够成为半导体切割胶带的理想基材，根源在于其卓越的力学性能组合。首先是超强的拉伸强度——在切割过程中，胶带承受着高速旋转的金刚石刀片或激光加工带来的巨大应力，PO 基膜的高拉伸强度（通常可达数十兆帕）确保了胶带不会因外力作用而断裂或变形，可靠地保护晶圆和芯片。其次是优异的抗撕裂强度——切割时刀片刃尖会切入胶带基材十几到几十微米深度，如果基材的抗撕裂性能不足，切口边缘会产生毛边、掉屑甚至撕裂扩展，严重污染芯片。
PO 基膜的分子结构使其具备出色的抗撕裂传播能力。最为关键的是等方性超高延展率——切割完成后，需要对胶带进行机械扩张（Expanding），将芯片间距从几十微米拉大至数百微米。PO 基膜的纵向和横向延展率均可达到 300%至 600%甚至更高，且纵横两个方向延伸比接近 1:1（即等方性），保证扩张后芯片排列整齐、间距均匀，这是后续自动取晶（Pick-up）工序顺利进行的基本前提。
