背面研磨完成后，胶带需要从已变得极薄的晶圆表面剥离，而这一环节正是碎晶风险最高的时刻——厚度仅 50 微米左右的晶圆几乎失去了自身的刚性支撑，任何过大的剥离应力都可能导致其弯曲破裂。因此，BG 胶带普遍采用"减粘剥离"策略，而 PO 基膜在这一过程中扮演着协同角色。主流方案是 UV 减粘型：胶带采用 UV 敏感胶层，剥离前以 365nm 紫外光照射晶圆正面，使胶层交联硬化，粘着力从剥离前的 10000 mN/25mm 级别骤降至 50mN/25mm 左右——如此低的粘着力使胶带几乎可以"零应力"地从晶圆表面揭除。
PO 基膜在此环节需要满足两项关键要求：一是对紫外光的高透过率（通常要求 80%以上），确保 UV 能量能穿透基膜到达胶层完成交联反应；二是剥离时的低变形阻力——PO 基膜在撕离方向上应表现出适度的刚性和平滑的剥离力曲线，避免剥离过程中出现"粘滑"（Stick-slip）现象造成应力突变。对于不允许 UV 照射的器件，则采用 PO 基膜配合低粘性非 UV 胶层的方案，通过精密控制粘着力实现机械剥离。
