晶圆制造完成后，芯片会按标准矩阵均匀排布，芯片之间预留出空白通道，行业称为切割道，也叫Street。划片设备会驱动高速旋转的超薄刀片，沿着预设切割道走刀，切断硅基材，将整片晶圆拆分为一颗颗独立裸片。
打个通俗比方：晶圆如同划分好格子的蛋糕，划片不会切割承载电路的芯片区域，只沿着格子缝隙分割，把整块晶圆拆分成独立小块。
目前量产主流工艺为刀片切割（Blade Dicing）：刀片由金刚石磨粒搭配树脂 / 金属结合剂制成，厚度仅 20~40μm，主轴转速区间 30000~60000RPM，依靠高速磨削硅材料完成分割。很多新人会产生误区：划片刀不是整块实心金刚石，仅表层固结微米级金刚石颗粒负责磨削。
针对100μm 以下超薄硅片、SiC、蓝宝石等特殊材质，激光切割的应用场景持续拓宽，其中隐形切割（Stealth Dicing）优势突出：激光聚焦至晶圆内部形成改质分层，后续依靠 UV 蓝膜拉伸张力完成芯片分离，硅粉碎屑极少，切缝宽度更小，背面崩边风险远低于刀轮切割。
