PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之六
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之六-化学稳定性:(1)耐化学腐蚀:Ø抵抗切割冷却液(如水、乙醇)的侵蚀,防止基膜溶胀或胶层失效。(2)低吸湿性:Ø吸湿率<0.1%,避免水分影响胶带粘性或导致芯片氧化。
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2025-08
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之六
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之六-化学稳定性:(1)耐化学腐蚀:Ø抵抗切割冷却液(如水、乙醇)的侵蚀,防止基膜溶胀或胶层失效。(2)低吸湿性:Ø吸湿率<0.1%,避免水分影响胶带粘性或导致芯片氧化。
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2025-08
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之五
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之五-光学性能(针对UV胶带):(1)高UV透光率:ØPO基膜需对紫外线(如365nm波长)透光率>90%,确保UV光充分触发胶层固化反应。(2)低紫外线散射:Ø基膜内部需无气泡或杂质,避免UV光散射导致胶层固化不均。
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2025-08
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之四
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之四--表面特性:(1)高平整度与光滑度:Ø表面粗糙度(Ra)需<0.1μm,避免凹凸影响胶层均匀性,导致切割深度不均。(2)抗静电性能:Ø需通过添加抗静电剂或涂层(如碳纳米管)防止静电吸附粉尘,避免污染芯片。
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2025-08
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之三
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之三-热性能:(1)耐温性:Ø切割可能产生局部高温(80-120℃),PO基膜需保持尺寸稳定,避免软化变形。Ø若为热释放胶带,基膜需耐受150-200℃的短暂高温而不分解。(2)低热收缩率:Ø高温环境下(如UV固化或烘烤),热收缩率需<0.5%,防止胶带收缩导..
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2025-08
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用之二
我们的基膜不带胶,不讲粘性,可以讲剥离属性:PO基膜经过特殊处理,可响应紫外线(UV)照射,使胶带表面粘性层在UV照射下迅速降低,实现可控减粘。这使得切割后的芯片易于拾取,避免残胶污染,提升良率。
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2025-07
PO基膜在晶圆划切/切割胶带的作用
一、晶圆划切/切割胶带是什么:晶圆划切/切割胶带(DicingTape)是半导体封装工艺中的关键材料,用于在晶圆切割过程中固定晶圆,防止芯片位移或飞散,并在切割后便于芯片拾取。聚烯烃(PO)基膜作为切割胶带的载体,其性能直接影响切割精度、芯片良率和后续工艺的可靠性。二、晶圆划切/切割胶带PO基膜的作..
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2025-07
PO基膜在晶圆研磨/减薄胶带的作用之七:洁净度与纯度
晶圆研磨/减薄胶带PO基膜的关键性能-洁净度与纯度(1)无污染:基膜生产需在无尘环境中进行,避免杂质(如金属离子、灰尘)影响晶圆良率。(2)低析出物:高温或UV照射时,基膜不应析出低分子量物质污染晶圆。
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2025-07
PO基膜在晶圆研磨/减薄胶带的作用之六:功能性需求
晶圆研磨/减薄胶带PO基膜的关键性能-功能性需求(1)UV透光性(针对UV胶带):PO基膜需允许紫外线穿透(如波长365nm),以触发胶层的光化学反应实现粘性失效。(2)与工艺兼容性:需适应后续步骤(如切割、清洗、临时键合等),例如在切割胶带应用中需兼顾柔韧性和刚性。
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2025-07
PO基膜在晶圆研磨/减薄胶带的作用之五:表面特性
晶圆研磨/减薄胶带PO基膜的关键性能-表面特性:(1)平整度与光滑度:表面需无缺陷(如颗粒、凹坑),防止研磨压力不均或损伤晶圆。部分应用可能需要粗糙化表面以增强胶层附着力。(2)低静电:避免静电吸附颗粒污染晶圆,可通过抗静电涂层或材料改性实现。