在晶圆切割或封装切割完成后，胶带上密布着已分离但间距极小的芯片（通常间距仅几十微米），无法直接用吸嘴拾取。这时需要借助一道称为"扩张"（Expanding）的工序——将胶带的外沿绷紧固定在扩张环上，通过机械装置均匀向外拉伸，使芯片间距由几十微米扩大到数百微米，为后续的视觉识别和自动取晶创造足够的操作空间。PO 基膜的扩张性能是这道工序成败的关键。
最核心的指标是等方性延伸（Isotropic Elongation）—— 即膜在横向（TD ）和纵向（MD）两个方向上的延展比率应尽可能接近 1:1。如果两个方向的延展率差异过大（如某些低端 PVC 膜 MD 方向只有 100%而 TD 方向可达 400%），扩张后芯片会发生偏转和位移，导致取晶位置偏差。高品质的 PO 基膜通过优化共聚物组成和流延工艺参数，可实现MD 和 TD 方向延展率均达 300%至 600%且比值接近 1:1，确保扩张后所有芯片保持整齐排列。
此外，PO 基膜还需要具备足够的扩张后回弹保持力（Elastic Recovery），以防止扩张后随时间推移胶带松弛导致芯片间距回缩。
