晶圆划切切割胶带PO基膜的表面特性有什么（三）

一、透光性与UV照射响应

特性：高透明度（透光率＞90%），允许UV光穿透基膜照射胶层。

作用：1. UV照射后胶粘剂发生化学反应，粘接力大幅降低（UV释放型胶带），便于芯片拾取。

2. 透光均匀性影响胶层固化一致性，避免局部粘接力残留。

二、低渗透性

特性：对水分和气体阻隔性良好。

作用：防止湿气侵蚀胶层或晶圆，尤其在潮湿环境中保持胶带性能稳定。

这些特性直接影响晶圆切割的良率、芯片损伤率及后续拾取效率，是切割胶带设计的核心环节之一。在实际应用中，需根据晶圆材质（硅、碳化硅、砷化镓等）、厚度及切割工艺（刀切、激光隐形切割等）选择适配的PO基膜规格。