PO基膜核心性能:高UV透光率,告别残胶取片难

做UV减粘切割工艺的朋友,大概率都遇到过这些问题:UV照射后胶带粘性降不下来、芯片表面残留胶体、取片时芯片受力碎裂、人工清理残胶耗时费力。其实这些问题,大多和切割胶带基膜的透光率息息相关。

PO基膜是UV减粘切割胶带的最优基材之一,在365nm、405nm工业主流UV波段透光率可达70%以上,光线穿透率高、分布均匀,能让胶层接收充足且均匀的紫外光照,实现全方位彻底减粘。UV辐照后,胶带剥离力可从0.12N/mm骤降至0.006N/mm,轻松实现无阻力取片。

反观普通PE、EVA基材,UV透光率低且透光不均匀,会出现胶层局部固化、局部未固化的情况,直接导致残胶残留、粘性不均。不仅需要额外工序清理残胶,还容易划伤精密基板、微型芯片,严重影响产品品质和生产效率。高透光PO基膜,真正实现“UV一照、轻松脱胶、无残胶、无损伤”。


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